১. এআই সার্ভার এবং ডেটা সেন্টার থেকে অপরিহার্য চাহিদা
এআই সার্ভারগুলো ক্রমবর্ধমান চাহিদার বৃহত্তম উৎস।নিম্ন-ডাইইলেকট্রিক গ্লাস ফাইবার কাপড়এআই প্রশিক্ষণ এবং ইনফারেন্স প্রক্রিয়াগুলো বিপুল পরিমাণ ডেটা আদান-প্রদানের উপর নির্ভর করে, যার জন্য উচ্চ-স্তর-সংখ্যার পিসিবি এবং উচ্চ-গতির ইন্টারকানেক্ট প্রযুক্তির ব্যবহার অপরিহার্য; এটি উপকরণগুলোর ডাইইলেকট্রিক বৈশিষ্ট্য এবং মাত্রিক স্থিতিশীলতার উপর চরম চাপ সৃষ্টি করে। PCIe 6.0 এবং 224G অপটিক্যাল মডিউলের মতো প্রযুক্তি গ্রহণের ফলে, এআই সার্ভারে কপার-ক্ল্যাড ল্যামিনেট (CCL)-এর পারফরম্যান্সের প্রয়োজনীয়তা সাধারণ লো-লস থেকে আল্ট্রা-লো-লস (ULL) এবং হাইপার-লো-লস (HLL) গ্রেডে স্থানান্তরিত হয়েছে, যা সরাসরি সংশ্লিষ্ট গ্রেডের লো-ডাইইলেকট্রিক গ্লাস ফাইবার ক্লথের চাহিদা বৃদ্ধিতে ভূমিকা রেখেছে। বাজারের তথ্য থেকে জানা যায় যে, এআই সার্ভারে CCL-এর মূল্য প্রচলিত সার্ভারের তুলনায় ৫ থেকে ৮ গুণ বেশি। মূল কাঁচামাল হিসেবে, উচ্চমানের লো-ডাইইলেকট্রিক গ্লাস ফাইবার কাপড়ের দাম ২০২৫ সালে প্রতি টন ৩২০,০০০–৩৫০,০০০ RMB-তে পৌঁছেছে—যা বছরের শুরু থেকে ২০% বৃদ্ধি—এবং কিছু নির্দিষ্ট মডেলের দাম ২৫০%–৩০০% পর্যন্ত বেড়েছে।
সরবরাহ ও চাহিদার ব্যবধানের কারণে, যা ডাউনস্ট্রিম এআই গ্রাহকদের কাছ থেকে ক্রমাগত ক্রমবর্ধমান চাহিদা এবং আপস্ট্রিম উচ্চমানের ইলেকট্রনিক ক্লথ উৎপাদন ক্ষমতার সীমাবদ্ধতার ফলে তৈরি হয়েছে, প্রধান সিসিএল প্রস্তুতকারকদের কাছে উচ্চমানের ইলেকট্রনিক ক্লথের নিরাপত্তা মজুত এক সপ্তাহের সরবরাহেরও কম হয়ে গেছে, যা একটি ঐতিহাসিক সর্বনিম্ন স্তর। উচ্চমানের পণ্যের চাহিদা মেটাতে, সিসিএল প্রস্তুতকারকরা ক্রয়মূল্য বাড়াতে বাধ্য হয়েছেন। বর্তমান মূল্যের প্রবণতা এবং সরবরাহ-চাহিদার প্রেক্ষাপট বিবেচনা করে, উচ্চমানের গ্লাস ফাইবার ক্লথের পরিমাণ ও মূল্য উভয়ই একযোগে বৃদ্ধি পাওয়ার সম্ভাবনা রয়েছে।
২. উচ্চমানের চিপ প্যাকেজিংয়ের জন্য কর্মক্ষমতার প্রয়োজনীয়তা
এআই চিপের জন্য উন্নত প্যাকেজিং প্রযুক্তি আরেকটি গুরুত্বপূর্ণ প্রয়োগ ক্ষেত্র উপস্থাপন করেনিম্ন-ডাইইলেকট্রিক গ্লাস ফাইবার কাপড়চিপ উৎপাদন প্রক্রিয়া ৩ ন্যানোমিটার নোড এবং তারও পরবর্তী পর্যায়ে উন্নত হওয়ার সাথে সাথে প্যাকেজিং ঘনত্বও ক্রমাগত বাড়ছে। এবিএফ সাবস্ট্রেট—যা চিপকে পিসিবি-র সাথে সংযোগকারী গুরুত্বপূর্ণ বাহক—এর মূল উপাদানের ডাইইলেকট্রিক বৈশিষ্ট্য এবং বিশুদ্ধতার উপর অত্যন্ত কঠোর প্রয়োজনীয়তা আরোপ করে। সাধারণত, অপারেটিং ফ্রিকোয়েন্সির উপর নির্ভর করে ডাইইলেকট্রিক কনস্ট্যান্টকে অবশ্যই ৩.০–৪.০ সীমার মধ্যে থাকতে হবে (১ মেগাহার্টজে), যেখানে ডিসিপেশন ফ্যাক্টর (Df) অবশ্যই ০.০০৫ থেকে ০.০১০-এর মধ্যে নিয়ন্ত্রণ করতে হবে (১ মেগাহার্টজে); উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সির অ্যাপ্লিকেশন (যেমন ৫জি এবং উচ্চ-গতির যোগাযোগ) এর জন্য আরও কম মান (<০.০০৫) প্রয়োজন হতে পারে। অধিকন্তু, উচ্চ-ঘনত্বের প্যাকেজিংয়ের চাহিদা মেটাতে, তাপীয় চাপের কারণে সার্কিট ভেঙে যাওয়া রোধ করার জন্য উপাদানগুলোকে অবশ্যই উচ্চ তাপ প্রতিরোধের সাথে কম তাপীয় প্রসারণ সহগ (CTE)-এর মধ্যে ভারসাম্য বজায় রাখতে হবে। কোয়ার্টজ ফাইবার ফ্যাব্রিক (যা “কিউ-ফ্যাব্রিক” বা “তৃতীয় প্রজন্মের ইলেকট্রনিক ফ্যাব্রিক” নামেও পরিচিত) তার নিম্ন ডাইইলেকট্রিক কনস্ট্যান্ট (২.২–২.৩), ন্যূনতম ডাইইলেকট্রিক লস (Df ০.০০১–০.০০০৫) এবং ৬০০°C বা তার বেশি দীর্ঘমেয়াদী অপারেটিং তাপমাত্রা সহ্য করার ক্ষমতার কারণে ABF সাবস্ট্রেটের জন্য পছন্দের উপাদান হিসেবে আবির্ভূত হয়েছে।
বিশ্বব্যাপী এআই চিপ চালানের দ্রুত বৃদ্ধি সরাসরি কোয়ার্টজ ফ্যাব্রিকের চাহিদা সম্প্রসারণ করছে। ফিউচার থিঙ্ক ট্যাঙ্কের পূর্বাভাস অনুযায়ী, ২০৩১ সালের মধ্যে বিশ্বব্যাপী কোয়ার্টজ ফ্যাব্রিক বাজার ৩.১২৭ বিলিয়ন ডলারে পৌঁছাবে বলে আশা করা হচ্ছে, যার চক্রবৃদ্ধি বার্ষিক বৃদ্ধির হার (CAGR) হবে ২৩.৩০%। এই পূর্বাভাসটি চাহিদার ঊর্ধ্বমুখী প্রবণতাকে তুলে ধরে, যা এআই চিপ চালানের ক্রমাগত বৃদ্ধি এবং উন্নত প্যাকেজিং প্রযুক্তির ব্যাপক গ্রহণের উপর নির্ভরশীল। অধিকন্তু, পরবর্তী প্রজন্মের এআই প্ল্যাটফর্ম—যেমন “রুবিন”—এর উন্নয়ন ৩এনএম বা এন৪ চিপ উৎপাদন প্রক্রিয়ার সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ এবং এটি CoWoS-L অতি-বৃহৎ সাবস্ট্রেট প্যাকেজিং ব্যবহার করে। এই প্ল্যাটফর্মগুলো উচ্চতর ব্যান্ডউইথ এবং আন্তঃসংযোগের চাহিদা মেটাতে আটটি HBM4 স্ট্যাককে একীভূত করে, যা কম্পিউটিং শক্তি বৃদ্ধির জন্য একটি সর্বোত্তম সমাধান প্রদান করে। অতি-বৃহৎ সাবস্ট্রেট এবং চরম কর্মক্ষমতার প্রয়োজনীয়তা কোয়ার্টজ ফ্যাব্রিকের কাঁচামালের চাহিদা আরও বাড়িয়ে দেবে, যা লো-ডিকে (নিম্ন ডাইইলেকট্রিক কনস্ট্যান্ট) গ্লাস ফ্যাব্রিককে আরও নিম্ন ডাইইলেকট্রিক কনস্ট্যান্ট এবং কম লস বৈশিষ্ট্যের দিকে চালিত করবে।
৩. একাধিক খাতে সমন্বিত প্রবৃদ্ধির প্রভাব
এআই কম্পিউটিং পাওয়ারের মূল খাতের বাইরে, ৫জি/৬জি কমিউনিকেশন এবং হাই-এন্ড কনজিউমার ইলেকট্রনিক্সের মতো ক্ষেত্রগুলোর চাহিদা এআই-এর পাশাপাশি সমন্বিত প্রবৃদ্ধিকে চালিত করছে। ৫জি মিলিমিটার-ওয়েভ (২৪–১০০ গিগাহার্টজ) থেকে ৬জি টেরাহার্টজ প্রযুক্তিতে (ফ্রিকোয়েন্সি রেঞ্জ প্রায় ১০০ গিগাহার্টজ–৩ টেরাহার্টজ) উত্তরণের ফলে উচ্চতর ফ্রিকোয়েন্সি ব্যবহৃত হচ্ছে, যা কমিউনিকেশন সরঞ্জামগুলোকে সিগন্যাল লসের প্রতি অত্যন্ত সংবেদনশীল করে তোলে। যেখানে ৫জি যুগে অতি-স্বল্প-ক্ষতির ফাইবারগ্লাস ফ্যাব্রিকের প্রয়োজন ছিল, সেখানে ৬জি যুগ ডাইইলেকট্রিক কনস্ট্যান্ট (Dk) এবং ডিসিপেশন ফ্যাক্টর (Df)-এর জন্য আরও কঠোর শর্ত আরোপ করেছে: Dk-কে অবশ্যই ২.০–৩.০-তে নামিয়ে আনতে হবে (>১০০ গিগাহার্টজ-এ), এবং Df-কে অবশ্যই ৫জি স্ট্যান্ডার্ডের ০.০০৩–০.০০৫ (১০ গিগাহার্টজ-এ) থেকে কমিয়ে ০.০০০১–০.০০৭ (১০০ গিগাহার্টজ-এ) করতে হবে, যা “অত্যন্ত স্বল্প-ক্ষতির” কোয়ার্টজ ফ্যাব্রিকের প্রয়োজনীয়তা তৈরি করেছে। ভোক্তা ইলেকট্রনিক্স খাতে, আইফোন ১৭-এ হংহে টেকনোলজি দ্বারা সরবরাহকৃত লো-সিটিই (তাপীয় প্রসারণ সহগ) এবং লো-ডাইইলেকট্রিক ফ্যাব্রিক ব্যবহার করা হয়েছে। এর উদ্দেশ্য হলো এ১০ প্রো ৩এনএম চিপ সোল্ডারিং করা, উচ্চ-ঘনত্বের মাদারবোর্ডে বেঁকে যাওয়া রোধ করা এবং উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সির ৫জি/ওয়াই-ফাই ৭ সিগন্যালে শক্তির অপচয় কমানোর মতো চ্যালেঞ্জগুলো মোকাবেলা করা। এই পদক্ষেপটি উচ্চমানের ইলেকট্রনিক ফ্যাব্রিকের শিল্পক্ষেত্রের প্রয়োগ থেকে মূলধারার ভোক্তা ইলেকট্রনিক্সে দ্রুত স্থানান্তরের ইঙ্গিত দেয়, যা উপকরণের চাহিদা বৃদ্ধি করছে এবং সরবরাহের সময় বাড়িয়ে দিচ্ছে। স্বয়ংচালিত ইলেকট্রনিক্সের ইন্টেলিজেন্ট আপগ্রেডও চাহিদা বৃদ্ধিতে অবদান রাখছে; উন্নত স্বায়ত্তশাসিত ড্রাইভিং (লেভেল ৩ এবং তার উপরে) এর জন্য অসংখ্য এডিএএস সেন্সর এবং উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সির রাডার প্রয়োজন। এই সিস্টেমগুলোর জন্য সিগন্যাল ট্রান্সমিশন স্থিতিশীলতা, দীর্ঘমেয়াদী সোল্ডার জয়েন্টের নির্ভরযোগ্যতা এবং কম্পন, তাপ ও আর্দ্রতার বিরুদ্ধে স্বয়ংচালিত-মানের সহনশীলতা প্রয়োজন। ফলস্বরূপ, কম ডাইইলেকট্রিক কনস্ট্যান্ট, কম ডাইইলেকট্রিক লস, সিএএফ (কন্ডাক্টিভ অ্যানোডিক ফিলামেন্ট) রেজিস্ট্যান্স এবং কম সিটিই (CTE) বৈশিষ্ট্যযুক্ত সার্কিট বোর্ড উপকরণগুলো উন্নত ইন্টেলিজেন্ট ড্রাইভিং সিস্টেমের জন্য পছন্দের উপকরণে পরিণত হয়েছে, যা উচ্চমানের ফাইবারগ্লাস ফ্যাব্রিকের ব্যাপক ব্যবহারকে আরও ত্বরান্বিত করছে। শিল্প পূর্বাভাস অনুযায়ী, কম-ডাইইলেকট্রিক-কনস্ট্যান্ট ইলেকট্রনিক ফ্যাব্রিকের বৈশ্বিক বাজার ২০৩১ সালের মধ্যে ৩.৭৬ বিলিয়ন ইউয়ানে পৌঁছাতে পারে, যা ১০.১% চক্রবৃদ্ধি বার্ষিক হারে বৃদ্ধি পাবে—এই প্রবণতার মূল চালিকাশক্তি হলো বিভিন্ন খাতে চাহিদার সমন্বয়।
কম্পিউটিং শক্তি সম্প্রসারণের চূড়ান্ত লক্ষ্য হলো উপকরণের ভৌত সীমাবদ্ধতা অতিক্রম করা। এআই সার্ভারে ব্যবহৃত অতি-স্বল্প-ক্ষতির পিসিবি এবং উন্নত প্যাকেজিং-এর কোয়ার্টজ ফ্যাব্রিক থেকে শুরু করে কনজিউমার ইলেকট্রনিক্স ও স্বচালিত গাড়ির জন্য ব্যবহৃত উচ্চমানের ল্যামিনেট পর্যন্ত, লো-ডাইইলেকট্রিক ফাইবারগ্লাস ফ্যাব্রিক এক অভূতপূর্ব আলোড়নের কেন্দ্রবিন্দুতে পরিণত হচ্ছে। ক্রমবর্ধমান পরিমাণ, মূল্যবৃদ্ধি এবং উৎপাদন ক্ষমতার ঘাটতি দ্বারা চিহ্নিত সরবরাহ-চাহিদার প্রেক্ষাপটে, এই আপাতদৃষ্টিতে হালকা "ইলেকট্রনিক ফ্যাব্রিক" নিঃসন্দেহে এআই হার্ডওয়্যার পরিকাঠামো এবং পরবর্তী প্রজন্মের উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি যোগাযোগ প্রযুক্তির মধ্যে সেতুবন্ধনকারী অন্যতম দ্রুত বর্ধনশীল খাত হিসেবে আবির্ভূত হয়েছে।
পোস্ট করার সময়: ২৫-জুলাই-২০২৬
